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【应用笔记】关于LED驱动电流的一般计算方法
作者:中微爱芯 发布时间:2020-01-02 人气:31

简析测量LED驱动端口电流


一、电流测试方法

市面常规LED驱动IC其驱动脚一般都为开漏结构,以共阴数码驱动电路为例,SEG脚为PMOS开漏,GRIDNMOS开漏,其带载示意图如下图一:


图一


当对应LED点亮时,SEG端口内部P管导通,GRID端口内部N管导通。由于MOS管内部存在导通内阻,故等效电路如下图二所示,此时相当于LED灯两端各串联一小电阻直接连接到GNDVCC,此时测量到的电流为瞬时电流。


图二



假设负载为蓝色发光二极管,则其瞬态电流可通过如下方式测量:

1、示波器测量灯两端的电压,SEG端电压为VSGRID端电压为VG。

2、将发光二极管取下,在SEG端口对GND接下拉电位器,调节该电位器阻值至VS,测量此时电位器的阻值为RL

3、蓝光LED导通瞬态电流I=VS/RL。

4、假设点亮灯的有效脉宽为t,其周期为T,则平均电流Iavg=t/T*I。


二、导通内阻

MOS的导通内阻在导通电流不同的情况下会出现变化,通常导通电流越大,则导通内阻越大。对于图二中12导通内阻可通过外接上下拉电位器等比例计算,具体方法如下:


图三


图四




如图三,SEG空载时输出5V,对GND外接可调电位器,调节电阻阻值将SEG最高电压拉低至3V,测量此时电位器阻值R,实测约65ΩSEG导通内阻 RS/R=2/3RS=43.33Ω
同理,如图四,GRID空载时输出0V,对电源外接可调电位器,调节电阻阻值将GRID最低电压拉高至0.5V,测量此时电位器阻值R,实测约47ΩGRID导通内阻RG/R=0.5/5RG=4.7Ω